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65纳米工艺步步逼近

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来源: 作者: 2019-03-09 23:25:02

虽然台湾半导体(TSMC)目前还没有正式启用其90纳米生产工艺,但该公司于昨天第一次公布了即将在2004年底应用于下一代芯片生产的65纳米工艺的细节。

据TSMC的介绍,这一称作Nexsys 65-nm Technology的65纳米生产工艺将具备copper-interconnects, low-k dielectrics和high-k dielectrics等技术,

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还可以为复杂的IC提供strained-silicon和silicon-on-insulator (SOI)技术,从而达到降低功耗的作用。

根据TSMC的计划,该64纳米工艺最早将于2004年第四季度投入试产,大概2005年底会进入量产阶段。

估计TSMC的65纳米技术将有助于该公司保持芯片生产技术的领先地位。目前,TSMC使用的是130纳米工艺,它的90纳米技术将在今年第三季度投入试产阶段,并计划于2004年开始量产。

据悉,TSMC的65纳米技术将象它以前的技术那样有几个版本,分别是general-purpose (CLN65G), low-power (CLN65LP)和high-speed (CLN65LV)。

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